硅碳氮（SiCN）薄膜厚度及禁帶寬度的測量

硅碳氮(SiCN)薄膜是一種新型的三元功能薄膜材料，因其高硬度、寬光學帶隙、良好的高溫抗氧化性能及抗腐蝕性能等諸多優(yōu)點，在微電子半導體和計算機產(chǎn)業(yè)等領域具有廣闊的應用前景。

使用MProbe UVVisSR薄膜測厚儀測量層積在硅表面的硅碳氮(SiCN)薄膜的厚度，及硅碳氮材料的光學系數(shù)和禁帶寬度。硅碳氮的色散模型使用Tauc-Lorentz近似模型，包含一個禁帶寬度參數(shù)。

以下是光譜數(shù)據(jù)分析：

圖1. 1號樣品硅碳氮(SiCN)薄膜厚度的測量，測量結(jié)果：61.5nm，測量得到的反射光譜曲線和模型曲線擬合度很好，光學系數(shù)曲線見圖2

圖2. 1號樣品硅碳氮(SiCN)薄膜的光學常數(shù)曲線，禁帶寬度：1.32eV

圖3. 2號樣品硅碳氮(SiCN)薄膜厚度的測量，測量結(jié)果：597.9nm，測量得到的反射光譜曲線和模型曲線擬合度很好，光學系數(shù)曲線見圖4

4. 2號樣品硅碳氮(SiCN)薄膜的光學常數(shù)曲線，禁帶寬度：0.854eV

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