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薄膜太陽能應(yīng)用--硒化銻（Sb2 Se3）薄膜厚度測量
硒化銻是一種潛在的，且非常有前景的太陽能電池吸光層材料，具有如下優(yōu)勢：
1. 硒化銻為直接帶隙材料，禁帶寬度為1.15 eV，非常接近硅(1.12 eV)，理論光電轉(zhuǎn)換效率>30%;
2. 硒化銻為簡單二元化合物，物相唯一，且可在較低溫度(<300 ℃)實現(xiàn)高質(zhì)量薄膜生長，可降低生產(chǎn)能耗;
3. 硒化銻的原料價格低廉。
以下是一個沉積在金材料基底上的硒化銻薄膜樣品的厚度測量，測量儀器型號：MProble VisNIR(450-1700nm光譜范圍)
圖1. 樣品中不同三個測量點的硒化銻薄膜反射光譜，從反射光譜中可以看出樣品厚度不均勻，三個測量點的厚度不一樣。同時，硒化銻在可見光至750nm范圍內(nèi)存在吸收。
圖2. 曲線擬合結(jié)果顯示，硒化銻薄膜的厚度為818.6nm
圖3. 硒化銻的光學(xué)常數(shù)(n和k)通過柯西模型(CauchyK)得到
